简介
本书全面介绍半导体物理学的基本理论，以物理科学、材料科学与工程、电子技术的眼光全面审视半导体物理的发展过程和进展情况。本书内容包括半导体的晶体结构、常见半导体的能带结构、半导体中杂质和缺陷效应、载流子的统计计算方法、半导体导电特性、光电导效应、光伏效应、金属半导体的接触特性、半导体同质PN结、半导体异质结构、MOS结构的特性及应用、半导体发光特性、半导体量子限域效应、半导体磁效应、半导体隧穿效应等，以及建立在此基础之上的各种半导体器件的原理和应用问题。本书可作为高等院校电子信息类本科专业的半导体物理课程教材，也可供相关科技人员参考.
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在过去半个多世纪的时间里，半导体物理的研究揭示出许多崭新的物理现象（比如量子隧道效应、量子霍尔效应等等），并多次获得诺贝尔物理学奖。半导体物理的研究还为人类社会特别是信息社会的发展奠定了几乎全部的基础和支柱（从信息的接受，处理，发射到传输无一不是基于半导体器件）。在这样一个半导体时代，越来越多的人希望能对周围的技术、仪器的原理有所了解。 本书尝试用一种通俗易懂的方式和语言介绍半导体物理学的基础理论和器件应用，为那些立志从事微电子科学与技术领域的进一步学习和研发的读者奠定基础。
更多出版物信息
- 版权： 清华大学出版社
- 出版： 2017-02-01
- 更新： 2023-10-13
- 书号：9787302459040
- 中图：O47-43
- 学科：理学物理学
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