简介
本书第一部分首先介绍抗辐射集成电路的研究进展、最新的设计理论和发展方向；并讲述辐射环境、辐射效应、辐射环境模拟机效应仿真等的基本概念、基础理论和相关技术；第二部分介绍辐射环境模拟和辐射效应仿真，抗辐射CMOS数字和模拟电路设计方法学；总剂量效应、移位损伤效应和单粒子效应的试验测量和性能评估；第三部分为经典CMOS集成电路的抗辐射加固设计举例，详细介绍前端读出集成电路、ADC、混合信号MCU的设计。
更多出版物信息
- 版权： 清华大学出版社
- 出版： 2017-02-01
- 更新： 2023-12-17
- 书号：9787302505297
- 中图：TN402
- 学科：工学电子科学与技术工学信息与通信工程交叉学科集成电路科学与工程
