三维存储芯片技术

作者: [圣马] 里诺·米歇洛尼(Rino Micheloni)?

出版社: 清华大学出版社

出版日期: 2020-01-28

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简介

3D是一种全新的技术,不仅是因为它的多层结构,还因为它是一种基于新型NAND的存储单元。在第1章介绍3D FLASH的市场趋势后,本书的2~8章介绍3D FlASH的工作原理、新技术以及应用架构,包括电荷俘获和浮栅技术(包括可靠性和可缩小性这两种性质在两种技术之间的对比,以及大量不同的材料和垂直架构)、3D堆叠NAND、BiCS和P-BICS、3D浮栅技术、3D VG NAND3D先进架构和RRAM交叉点阵列等。第9~12章探讨了3D FLASH的系统级先进技术,包括多级存储和芯片堆叠等封装技术创新;基于低密度奇偶校验码的最新商业解决方案的演化进程;TLC/QLC与若干3D层的组合需要的非对称代数码和非二进制LDPC码等校正技术;以及从系统的角度看3D Flash的含义。

编辑推荐

本书是关于三维存储器的专业书籍,着眼于3D NAND闪存技术发展的未来,结合3D NAND闪存技术和固态硬盘的市场趋势,全面介绍了3D NAND闪存技术的工作原理、器件架构、工艺与应用等,同时也覆盖三维阻变存储器等前沿内容

更多出版物信息
  • 版权: 清华大学出版社
  • 出版: 2020-01-28
  • 作者:[圣马] 里诺·米歇洛尼(Rino Micheloni)?
  • 更新: 2023-06-07
  • 书号:9787302531340
  • 中图:TN43
  • 学科:
    工学
    电子科学与技术
    工学
    信息与通信工程
    交叉学科
    集成电路科学与工程