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简介
本书采用数值仿真、解析建模和实验制备的手段对集成电路亚10nm阶段新型低功耗半导体器件—负电容场效应晶体管（NC—FETs）的工作原理和设计优化进行了研究和探索。在负电容场效应晶体管的解析模型及其特性优化、新型负电容场效应晶体管器件结构的提出、以及基于二维材料的负电容场效应晶体管的制备等方面，本书做出了一系列原创性的研究工作，可为从事新型半导体器件设计的技术人员提供参考。
更多出版物信息
- 版权： 清华大学出版社
- 出版： 2020-10-01
- 更新： 2023-06-21
- 书号：9787302556633
- 中图：TN386
- 学科：工学电子科学与技术工学信息与通信工程
