简介
本书采用数值仿真、解析建模和实验制备的手段对集成电路亚10nm阶段新型低功耗半导体器件—负电容场效应晶体管(NC—FETs)的工作原理和设计优化进行了研究和探索。在负电容场效应晶体管的解析模型及其特性优化、新型负电容场效应晶体管器件结构的提出、以及基于二维材料的负电容场效应晶体管的制备等方面,本书做出了一系列原创性的研究工作,可为从事新型半导体器件设计的技术人员提供参考。
更多出版物信息
- 版权: 清华大学出版社
- 出版: 2020-10-01
- 更新: 2023-06-21
- 书号:9787302556633
- 中图:TN386
- 学科:工学电子科学与技术工学信息与通信工程