《纳米体硅CMOS工艺逻辑电路单粒子效应研究》的作者陈荣梅主要从事集成电路的辐射效应，碳纳米管互连线和晶体管的集成工艺、物理分析和电路建模与设计的研究工作，其研究成果得到国际知名专家和同行的高度认可。本书深入研究了纳米体硅CMOS工艺逻辑电路中单粒子效应的产生与传播受电路工作电压、频率和版图结构这些电路内在因素以及温度和总剂量两种空间环境变量的影响规律及其机理，可供相关领域的研究人员深度阅读。