简介
本书分为五个部分,即Sb基高电子迁移率晶体管的应用及发展、高电子迁移率晶体管的工作原理、晶体管的仿真、器件外延材料生长、InAs/AlSb HEMT器件制作工艺。本书可被从事Sb基高电子迁移率晶体管的研究人员作为参考书。
更多出版物信息
- 版权: 西北大学出版社
- 出版: 2019-09-01
- 更新: 2023-03-22
- 书号:9787560444291
- 中图:TN32
- 学科:工学电子科学与技术工学信息与通信工程
本书分为五个部分,即Sb基高电子迁移率晶体管的应用及发展、高电子迁移率晶体管的工作原理、晶体管的仿真、器件外延材料生长、InAs/AlSb HEMT器件制作工艺。本书可被从事Sb基高电子迁移率晶体管的研究人员作为参考书。