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简介
本书是一本硅基锗(Ge)材料及其光电器件方面的入门书籍。本书分为三个部分，首先介绍了硅基锗材料生长及器件的基础知识，接着阐述了采用低温缓冲层技术外延生长硅基锗材料，锗的原位硼(B)和磷(P)掺杂，最后是硅基锗PN结和PIN结构的基本物理特性，并给出相关特性的定性与定量分析。书可作为微电子专业的本科生及研究生的参考书，也是该领域工程技术人员的宝贵参考资料。
更多出版物信息
- 版权： 哈尔滨工程大学出版社
- 出版： 2020-04-01
- 更新： 2023-03-22
- 书号：9787566126481
- 中图：TN36;TN304.2
- 学科：工学电子科学与技术工学信息与通信工程
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