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李艳丽，复旦大学微电子学院青年研究员、硕士生导师。2010年于山东大学获学士学位，2015年于复旦大学获博士学位。博士期间主要从事硅纳米晶体和硅纳米线的制备以及研究其发光特性的工作，在国内外期刊上发表多篇论文。2015-2021年，先后在中芯国际研发部、上海集成电路研发中心，负责28 nm、14 nm和5 nm基于EUV的光刻工艺技术研发工作。2021年6月加入复旦大学微电子学院，主要研究方向是“集成电路先进光刻工艺及光刻相关设备、光刻材料、光刻相关算法软件”。自2019年起，在中国国际半导体技术大会（ CSTIC）、固态和集成电路技术国际会议（ICSICT）、国际先进光刻技术研讨会（IWAPS）、 国际专用集成电路会议（ASICON）以及其他期刊上以一作或通讯作者发表EUV、DUV相关光刻技术论文20余篇，并凭借极紫外光刻胶随机效应模型获得2020年CSTIC优秀年轻工程师二等奖。还获得2022年 ICSICT “杰出青年学者论文奖”。申报专利54项，授权16项（其中申报一作16项，授权6项），专利涉及深紫外、极紫外工艺、材料以及相关设备。 伍强，复旦大学研究员、博士生导师。1993年于复旦大学获物理学学士学位，1999年于耶鲁大学获物理学博士学位。毕业后就职于IBM公司，担任半导体集成电路光刻工艺研发工程师，在研发65nm逻辑光刻工艺时，在世界上首次通过建模精确地测量了光刻工艺的重要参数：等效光酸扩散长度。2004年回国，先后担任光刻工艺研发主管、光刻设备应用部主管，就职于上海华虹NEC电子有限公司、荷兰阿斯麦（ASML）光刻设备制造（中国）有限公司、中芯国际集成电路制造（上海）有限公司、中芯国际集成电路新技术研发（上海）有限公司、上海集成电路研发中心和复旦大学。先后研发或带领团队研发0.18um、0.13μm、90nm、65nm、40nm、28nm、20nm、14nm、10nm、7nm等逻辑光刻工艺技术和0.11μm 动态随机存储器（DRAM）光刻工艺技术，带领设备应用部团队将193nm浸没式光刻机成功引入中国。截至2023年12月，个人共获得112项专利授权，其中40项美国专利，发表光刻技术论文83篇。担任国家“02”重大专项光刻机工程指挥部专家，入选“2018年度上海市优秀技术带头人”计划。2007-2009年担任ISTC（国际半导体技术大会）光刻分会主席，2010-2024年担任CSTIC（中国国际半导体技术大会）光刻分会副主席。