本书是为那些具有有限的高等数学和固体物理基础知识的读者所写的。书中的数学推导内容不多,主要关注所有变量的定义和大多数常见单位的使用。读者只要熟悉基本代数和初步的电子学即可。多数习题以读者有机会接触版图编辑软件为前提,但没有这些资源的读者也可以用铅笔和纸完成大多数习题。 本书由14章正文和5个附录组成。前面两章概述器件物理特性和半导体制造,其中避开了数学推导,偏重于简单的语言描述和可视模型。第3章讲述3种原型器件工艺: 标准双极型、硅栅CMOS和模拟BiCMOS。讲述内容重点是剖面的演变和这些剖面与常规样品器件版图视图间的关系。第4章讨论共同的失效机制,强调版图在决定可靠性中的作用。第5,6章给出了电阻和电容的版图。第7章以电阻和电容为例子给出了匹配准则。第8~10章讨论双极型器件版图, 第11,12章讨论场效应晶体管的版图和匹配。第13,14章包括一系列高级的题目,如器件合并、保护环、静电保护结构和布局。附录包括缩写表、密勒指数讨论、供习题用的简单的版图规则和书中所引用的公式。
本书是为那些具有有限的高等数学和固体物理基础知识的读者所写的。书中的数学推导内容不多,主要关注所有变量的定义和大多数常见单位的使用。读者只要熟悉基本代数和初步的电子学即可。多数习题以读者有机会接触版图编辑软件为前提,但没有这些资源的读者也可以用铅笔和纸完成大多数习题。 本书由14章正文和5个附录组成。前面两章概述器件物理特性和半导体制造,其中避开了数学推导,偏重于简单的语言描述和可视模型。第3章讲述3种原型器件工艺: 标准双极型、硅栅CMOS和模拟BiCMOS。讲述内容重点是剖面的演变和这些剖面与常规样品器件版图视图间的关系。第4章讨论共同的失效机制,强调版图在决定可靠性中的作用。第5,6章给出了电阻和电容的版图。第7章以电阻和电容为例子给出了匹配准则。第8~10章讨论双极型器件版图, 第11,12章讨论场效应晶体管的版图和匹配。第13,14章包括一系列高级的题目,如器件合并、保护环、静电保护结构和布局。附录包括缩写表、密勒指数讨论、供习题用的简单的版图规则和书中所引用的公式。
- 出版: 2007-09-01
- 更新: 2024-07-16
- 书号:9787302149613
- 中图:TN431.102
- 学科:工学电子科学与技术工学信息与通信工程交叉学科集成电路科学与工程