简介
本书论述抗辐射集成电路方面的知识。全书共分10章，主要内容包括辐射环境、辐射效应、抗辐射双极集成电路设计、抗辐射MOS集成电路设计、微处理器加固技术、存储器加固技术、FPGA加固技术、模型参数、集成电路抗辐射性能评估。本书可作为高等学校电子科学与技术类专业选修教材， 或从事相关研究的科技人员的参考书。
更多出版物信息
- 版权： 清华大学出版社
- 出版： 2011-04-01
- 更新： 2023-10-13
- 书号：9787302245476
- 中图：TN4
- 学科：工学电子科学与技术工学信息与通信工程交叉学科集成电路科学与工程
