微电子制造技术概论

作者: 严利人、周卫、刘道广

出版社: 清华大学出版社

出版日期: 2010-03-01

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简介

本书介绍和描述了集成电路工艺制造的成套工艺流程和各工艺单步的技术内容。对于流程的介绍,除举例和说明一般性流程特点之外,专有一章说明了流程调度实施的技术与算法。

编辑推荐

《微电子制造技术概论》从三个层次对集成电路制造工艺技术进行介绍:首先,具体描述主要的集成电路制造单项工艺技术。其中包括薄膜生成类工艺化学气相淀积多晶硅、氮化硅、氧化硅,蒸发和/或溅射金属膜;对薄膜或者器件结构单元的物质材料属性进行进一步调整的氧化、扩散、离子注入;对薄膜或者器件结构单元的几何尺寸进行定义或进一步限定的刻蚀,化学机械抛光、减薄等。 其次,介绍集成电路制造的流程及其具体实施。集成电路制造的流程是底层各单项工艺技术的某种复杂的组合,《微电子制造技术概论》描述了典型的双极和CMoS工艺流程的细节。流程的具体实施主要是高效率作业调度问题,《微电子制造技术概论》介绍了这方面比较有特色的一个调度思路和具体算法。 最后,略述当前技术进展和一些先进的单项工艺制造技术。这一部分的内容主要取自于各类不同的文献和综述资料,包括ITRS发展路线图。 这三个层次的阐述和介绍,有助于读者较为快速地建立起对现代集成电路制造的主要技术和过程实施环节比较全面的了解。

更多出版物信息
  • 版权: 清华大学出版社
  • 出版: 2010-03-01
  • 作者:严利人、周卫、刘道广
  • 更新: 2023-10-13
  • 书号:9787302208181
  • 中图:TN4
  • 学科:
    工学
    电子科学与技术
    工学
    信息与通信工程
    交叉学科
    集成电路科学与工程

作者信息

严利人、周卫、刘道广

严利人,先后从事集成电路工艺参数测试、氧化扩散、光刻、工艺设备、流程管理等VLS0制造实践工作。目前主要的研究方向为工艺分析诊断、光刻工艺设备及工艺技术、VLSI自动化制造等,并在VLSI自动化制造系统的研究和工艺流程开发规律、自动流程卡生成、高效率工艺调度等方面取得阶段性成果。 周卫曾,进行过刻蚀和外延工艺的研究,开发过用于SiGeHBT的多层金属互联及深槽隔离等专项工艺。目前主要的研究方向是新型半导体器件工艺技术、功率器件的开发以及器件工艺参数和电学参数的测试方法。 刘道广,多年从事Si外延技术,Si3N4、Si02和Poly-Si等薄膜生长工艺研究。在器件工艺及电路方面,自主开发出自对准、全离子注入、Poly-Si发射极、ECL数字模拟兼容的先进工艺,SOl材料和深槽隔离等特色工艺技术,研制成功高压大电流VDMOS和IGBT样品。现从事SiGe低噪声放大器电路(LNA)、应变硅的高速电路、大功率VDMOS晶体管和功率半导体等方面的研究。

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