半导体器件基础

作者: (美)Betty Lise Anderson等

出版社: 清华大学出版社

出版日期: 2008-03-01

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简介

半导体构成了大多数现代电子系统(如计算机、通信网络、控制系统等)的基础。虽然在电子学领域也涉及其他材料的应用(例如,硬盘驱动器的磁性材料),本书还是主要介绍基于半导体的电子器件。 要了解半导体器件的工作原理和设计,首先要了解所用的材料。在本书第1部分,我们首先从原子中的电子出发,研究材料中电子的行为,然后研究半导体晶体中电子的行为。 我们将看到,经典力学不能给固体中电子的运动提供一个完整的图像。原则上,应该用量子力学代替经典力学来预测电子的行为,然而,量子力学的运用比我们熟悉的经典力学或牛顿力学要复杂得多。因此,本书将介绍准经典力学,对我们所熟悉的经典力学的方程进行修正,用来描述量子力学的效应。 在第1章中介绍对于理解半导体器件工作原理很重要的一些基本的量子力学概念(更完整的讨论放在第4章后面的补充内容1A中)。第2章介绍准经典力学,可以通过简单、直观的准经典方程预测复杂力场下电子的运动。 利用准经典力学,我们还可以画出能带图,并利用能带图分析电子的运动。能带图是理解和预测半导体中电子和空穴运动乃至电流必不可少的工具。 在第3章中我们将学习以下内容: 半导体材料的电导率是由可以携带电流的荷电载流子数目决定的。半导体材料中携带电荷的载流子有电子和空穴两种。载流子的数目是由半导体材料中人为加入的杂质成分的浓度决定的。载流子浓度还和温度有关。如果有光照在样品上,载流子的浓度也会发生变化。 半导体中的电流由两部分组成: 漂移电流和扩散电流。漂移电流是由电场引起的,而扩散电流是由载流子浓度随位置变化导致的。 第4章介绍非均匀半导体材料。非均匀半导体材料中,掺杂浓度或材料本身的成分是可以变化的。这些变化可以形成内建电场,提高器件的性能。大多数的现代半导体器件中都包含这样的非均匀材料构成的区域。 第1部分的补充内容介绍了与半导体材料相关的附加内容,其中包括关于量子力学的更详细的讨论、束缚态的电子的统计和声子等。 我们从原子中的电子开始第1部分内容的学习。

编辑推荐

全书分为5个部分,共11章,全面介绍了半导体材料的基本性质和半导体器件的基本工作原理。从器件物理和工程应用的角度对现代半导体器件进行了全面的和注重实际的讲述。在内容方面,本书不仅介绍了量子力学、半导体物理和半导体器件(包括二极管、场效应晶体管、双极型晶体管和光电器件)的基本工作原理等内容,还包括现代半导体器件的最新进展以及器件的应用。本书在重点介绍硅材料和硅器件的基础上,还介绍了化合物半导体器件、合金器件(如SiGe,AlGaA.)和异质结器件。作者特别强调对决定半导体材料和器件电学特性的物理过程的理解以及器件的实际应用。通过本书学习,不仅可以系统地掌握器件物理原理,同时能够对先进的半导体器件技术有一个初步的了解,有利于今后进一步的学习和研究。

更多出版物信息
  • 版权: 清华大学出版社
  • 出版: 2008-03-01
  • 作者:(美)Betty Lise Anderson等
  • 更新: 2023-03-22
  • 书号:9787302164135
  • 中图:TN
  • 学科:
    工学
    电子科学与技术
    工学
    信息与通信工程